10W 20W976nmベアレーザーチップアンマウントレーザーバー

10W 20W976nmベアレーザーチップアンマウントレーザーバー

特徴：


波長：976nm
出力電力：10W、20W
動作モード：CW








応用：

産業：加熱または照明用の直接材料加工における高出力ダイオードレーザー用の半導体。 ファイバーおよび固体レーザーの励起源としての半導体。 印刷技術で使用します。
医学：エステティック、皮膚科、外科。

商品番号：LC976B10


商品名：10W976nmベアレーザーチップ


オプティカル
波長λ973〜979nm
出力電力10〜12W
作業モードCW
スペクトル幅FWHM≤5nm
エミッター幅95um
キャビティ幅390〜410um
キャビティの厚さ95〜120um
キャビティ長3990〜4010um
Fast Axis Divergence（FWHM）29Deg
遅軸発散（FWHM）9Deg
スペクトル幅FWHM4nm
偏光モードTE
スロープ効率≥0.95W/ A


電気
動作電流Iop10.8〜12A
しきい値電流Ith0.7〜1.0A
動作電圧Vop1.75〜1.95V


熱の
作動温度25℃
波長温度係数〜0.3nm /℃




備考

他のモデルはあなたの選択で利用可能です、plsは自由に私達に連絡します

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