説明
2W アンマウントレーザーバー
概要
マウントされていないレーザーバーは、高出力および高輝度の半導体レーザー モジュールの基本的な構成要素です。{0}{1}{1}さまざまな出力パワーと波長が利用可能です。マウントされていないレーザーバーは、高出力および高輝度の半導体レーザー モジュールの基本的な構成要素です。-さまざまな出力パワーと波長が利用可能です。アンマウントレーザーバーはレーザー内の電気部品で、通常は半導体材料でできており、反射キャビティに取り付けられています。電場が印加されると、単一チューブの半導体材料の光学特性がわずかに変化し、その結果レーザーが放射されます。
特徴:
チップオンサブマウント設計も利用可能です。
P ダウンシールパッケージ。
高い安定性と長寿命。
高い信頼性とAuSn接合。
RoHS準拠

| パラメータ | 分 | タイプ | マックス | ユニット |
| 力 | 2 | W | ||
| 波長 | 820 | 830 | 840 | nm |
| スペクトル幅(FWHM) | - | 3 | - | nm |
| 偏光モード | - | TE | - | - |
| 波長シフトと温度の関係 | - | 0.28 | - | nm/度 |
| エミッタサイズ | - | 40 | - | μm |
| 動作電流 | - | 2 | - | A |
| 動作電圧 | - | 1.8 | - | V |
| 電力変換効率 | - | 55 | - | % |
| スロップ効率 | - | 1.2 | - | W/A |
| 動作温度 | - | 25 | - | 程度 |
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