10W 940nm レーザーダイオードベアバー

10W 940nm レーザーダイオードベアバー

10W 940nm シングルエミッターレーザーチップ
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説明

 

20W 976nm アンマウントレーザーバー

概要

 

特徴:

CW動作モード

100% 電力変調

効率的なパッケージング放熱技術

耐高温特性

COSパッケージが利用可能

応用:

加熱または照明用の直接材料加工における高出力ダイオード レーザー用の半導体。-ファイバーレーザーや固体レーザーの励起源としての半導体。-印刷技術での使用。

Diode Laser Chips

データシート:

 

商品番号:LC940SM10

光学  
中心波長 940nm
出力電力 10W
スペクトル幅半値幅 5nm以下
エミッタ幅 95um
キャビティ幅 390um-410um
キャビティの厚さ 95um~120um
キャビティ長さ 3990um~4010um
斜面効率 0.95W/A以上
速軸の発散 29度
遅軸発散 9度
偏光モード TE
電気  
閾値電流 0.7-1.0A
動作電流 10.8-12A
動作電圧 1.75-1.95V
 
動作温度 25度
波長温度係数 0.3nm/度

 

注文手順:


1. 詳細についてはメールでお問い合わせください

2. 私たちは支払いのためにあなたにPIを送ります、支払い期間はT / Tまたはウェスタンユニオンです

3.お支払いが完了したら、生産を手配します

4.納期は1〜4週間で、注文数量とリクエストによって異なります。

5.配達後、DHL UPS FedEx TNT追跡番号をお送りします。

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