00W 808nm マウントされていない半導体ダイオード レーザー バーおよびチップ材料加工用マルチ エミッター半導体レーザー チップ
特徴：
- 高出力レーザーチップ 300W
- 中心波長808nm
- QCW 動作モード、60 エミッター
- 高輝度、高信頼性、高安定性を備えた当社のレーザーチップ
- 任意のミルコチャネル冷却構成で利用可能
アプリケーション:
- レーザー光源
- 材料の直接加工
- センシングライダー
データシート
商品番号：LC808SB300
商品名: 半導体レーザーバーチップ 808nm
| 光学 | |
| 中心波長 | 808nm |
| 出力電力 | 300W |
| 作業モード | QCW |
| スペクトル幅 | 4nm |
| エミッター数 | 60 |
| エミッタ幅 | 120 |
| キャビティ幅 | 160 |
| 充填率 | 75% |
| バーの幅 | 10000 |
| キャビティ長さ | 1500 |
| 厚さ | 130 |
| ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) | 39度 |
| 遅軸発散 (FWHM) | 12度 |
| 偏光モード | TE |
| 斜面効率 | 1.15W/A |
| 電気 | |
| 動作電流 Iop | 280A |
| 閾値電流 Ith | 30A |
| 動作電圧Vop | 1.9V |
| 電力変換効率 | |
| 熱 | |
| 動作温度 | 25度 |
| 波長温度係数 | 0.3nm/度 |
描画：
レーザー ダイオード ストライプ チップは、複数のレーザー チップがストライプに組み合わされたベア ウェーハで、個々のレーザーの出力を組み合わせて数十、場合によっては数百ワットの出力を生成します。レーザー ダイオード チップの主な用途は、医療、レーザー加工、自由空間光通信です。-
レーザー ダイオード ロッド チップは、単一チップ上に製造された個別のレーザー ダイオードのアレイで構成される高出力半導体レーザー デバイスです。{0}レーザー ダイオード ロッド チップは、材料処理、医療機器製造、印刷、イメージングなどのさまざまな用途に使用されます。
レーザー ダイオード ストライプ内の個々のレーザー ダイオードは、通常は近赤外領域の狭いスペクトル範囲で光を放射するように設計されています。各レーザー ダイオードの出力は、デバイスの設計とサイズに応じて、数百ミリワットから数ワットの範囲になります。レーザー ダイオード ストリップ チップは、連続波 (CW) モードまたはパルス モードで光を放射できます。 CW モードでは、レーザー ダイオードは連続的な光の流れを放射しますが、パルス モードでは、レーザー ダイオードは高強度の光の短いパルスを放射します-。
レーザー ダイオード ストリップ チップの製造プロセスには、通常、基板上での活性層とクラッド層のエピタキシャル成長と、それに続くフォトリソグラフィーとエッチングによるデバイス構造の定義が含まれます。次に、デバイスを小さな断片にスライスすることによって、個々のレーザー ダイオードが形成されます。各断片には 1 つ以上のレーザー ダイオードが含まれます。
レーザー ダイオード チップは、光をファイバーやその他の伝送システムに効率的に結合するために、追加の光学部品や電子部品とともにパッケージ化されることがよくあります。このパッケージは、デバイスの高出力によって生成される熱を放散するための熱管理も提供します。
一般に、レーザー ダイオード チップは高出力と高輝度を提供するため、幅広い産業および科学用途に適しています。
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