100mW974nmシングルエミッタダイオードレーザーチップ

100mW974nmシングルエミッタダイオードレーザーチップ

商品番号:LC974SE100
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説明

 

100mW974nmシングルエミッタダイオードレーザーチップ

100mWの974nmシングルエミッターチップがあります。 この波長に加えて、755nm、780nm、808nm、905nm、976nm、1064nmのレーザーチップも提供しています。 シングルエミッターレーザーダイオード(SE)チップは、高出力で高輝度の半導体レーザーモジュールの基本的な構成要素です。 あらゆる面での検査により、各製品の信頼性、安定性、長寿命を保証します。

100mW 974nm Single Emitter Diode Laser  Chip

特徴:

100mWの出力電力、974nmの中心波長

作業モード:CW

利用可能なCOSパッケージ

効率包装放熱コーティング技術

高温耐性特性

応用:

高出力半導体レーザーモジュール用

ファイバーおよび固体レーザーの励起源として

IR照明システム

医療(美容、皮膚科、外科


データシート

商品番号:LC974SE100

商品名:100mW974nmシングルエミッターダイオードレーザーチップ


オプティカル
中心波長974nm
出力電力100mW
スペクトル幅2nm
エミッター幅4um
キャビティの長さ1000um
チップ幅500um
厚さ150um
高速軸発散(FWHM)40度
遅軸発散(FWHM)8Deg
電気
動作電流Iop120mA
しきい値電流Ith15mA
動作電圧Vop2V
変換効率40%
熱の
作動温度25℃
波長温度係数0.3nm /℃



パッキング:

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パッケージ

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