説明
12W 945nm アンマウントレーザーチップ
製品説明
12W 945nm アンマウント レーザー チップは、高出力と正確な波長を必要とするアプリケーション向けに設計された高性能レーザー ダイオードです。-近赤外線（NIR）スペクトルの 945nm の波長で動作するこのレーザー チップは、信頼性が高く安定した 12W の出力を提供し、さまざまな産業、科学、研究用途に最適です。
特徴：
InGaAs- ベースの半導体
光出力：12W CW
標準波長: 760 ～ 1030 ナノメートル (その他の波長もリクエストに応じて利用可能)
フィルファクター: 10%、20%、30%、50%、75% (その他はリクエストに応じて利用可能)
共振器の長さ: 0.6 mm、1.0 mm、1.5 mm、2.0 mm、3.5 mm、4.0 mm (その他はご要望に応じて入手可能)
オプション: 低 AR コーティング (通常 < 0.3%)
オプション: 連続メタライゼーション
応用：
ファイバーレーザー励起光源
固体-状態のレーザー励起光源
直接半導体レーザー
仕様：
商品番号：LC945SE12
| 光学 | タイプ |
| 中心波長 | 945nm |
| 出力電力 | 12W |
| 作業モード | CW |
| エミッタ幅 | 90μm |
| エミッタピッチ | 400μm |
| キャビティ長さ | 4000μm |
| ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) | 27度 |
| 遅軸発散 (FWHM) | 7度 |
| スペクトル帯域幅(FWHM) | 4nm |
| 電気 | |
| 動作電流 Iop | 12A |
| 閾値電流 Ith | 0.8A |
| 動作電圧Vop | 1.65V |
| 変換効率 | 61% |
| 熱 | |
| 動作温度 | 20度 |
| 波長温度係数 | 0.35nm/度 |
性能曲線とサイズ図
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