説明
150mW 940nmVCSELレーザーチップ
材料と構造
基板：GaAs
p-メタライゼーション：Au合金
n-メタライゼーション：Au合金
エピタキシャル構造：InGaAs MQW
特徴
| パラメータ | 代表 |
| 中心波長 | 940±10nm |
| 出力電力 | 150mW |
| 順方向電圧 | 1.9V |
| 斜面効率 | 0.9W/A |
| 支配的な波長 | 42.6% |
| 波長温度 係数 | 0.07nm /℃ |
| 逆電流 | 1uA |
お問い合わせ：
人気ラベル: 150mw 940nm vcselレーザーチップサプライヤー、メーカー中国、工場、卸売、中国製