3W 808nm半導体レーザーチップの幅は150μm、キャビティ長は1mm、光電変換効率は60％、耐用年数は10000時間以上に達します。
このチップは、新しいエピタキシャル構造設計と材料エピタキシー、高度な非ポンプウィンドウ設計と準備技術、および自己整合プロセス技術と組み合わせたウェットおよびドライエッチングを採用して、ストリップ幅の一貫性を制御し、特に大量の完成品を確保します。生産レーザーチップのコストを削減します。
同時に、新技術の採用により耐熱性が大幅に向上し、周囲温度60℃以上での連続動作が可能です。
このチップは、C-MOUNT、TO56、TO3およびその他のパッケージタイプに適用できます。