いわゆるシングルエミッターは、私たちがよく「レーザーチップ」と呼ぶものです。 その製造プロセスは半導体チップと同じで、シリコンウェハの製造、ICの設計、ICの製造、ICの封止、検査といった一連の工程を経ます。 最終的なチップはシングル ダイオード レーザーと呼ばれます。 レーザーバーは、複数の単一半導体エミッターが並んで形成された単一のレーザーバーとみなすことができ、これをバーと呼びます。 本質的には、同じ基板上に一連の単一半導体レーザー エミッターを構築することによって形成され、リニア アレイ レーザーとも呼ばれます。 簡単に理解すると、複数の単一エミッターが 1 つのバーに配置され、1 つのバーを複数の単一エミッターに分割できます。
単一のレーザーエミッターには発光点が 1 つしかないため、ファイバー結合が容易です。 したがって、熱効果の相互影響を効果的に低減でき、修理、保守、交換が容易なファイバーレーザー（主に中出力および低出力）のポンプ光源として一般的に使用されます。 また、高電圧、低電流の駆動電源は構造が簡単であり、低コストである。 レーザーバーは発光点が多いため発光出力が高く、高出力ファイバーレーザーや全固体レーザーのポンプ光源または直接発光としてよく使用されます。 医療、軍事、その他の分野でも広く使用されています。 現在、中国における単一レーザー管の最大出力は 20W に達し、レーザーバーは 300W 以上の出力を達成できます。
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