VCSEL、つまり垂直共振器型面発光レーザーは、高出力、高変換効率、高品質ビームの利点を兼ね備えています。 LEDやエッジ発光レーザーEELと比較して、精度、小型化、低消費電力、信頼性など、あらゆる面で優れているというメリットがあります。
VCSELデバイスには2つの基本構造があります。 1つはトップエミッション構造です。MOCVD技術を使用してn型GaAs基板上に成長し、DBRをレーザーキャビティミラーとして使用し、量子井戸の活性領域をn-DBRとp-DBRの間に挟みます。 。 もう1つは、976-1064nmバンドを生成するために一般的に使用されるボトムエミッション構造です。 通常、基板は基板の吸収損失を減らすために150μm未満に薄くされ、次に反射防止コーティングの層が成長してレーザービームの品質が向上します。 最後に、ヒートシンクに取り付けられたゲインチップ。
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