説明
100W 808nm CW アンマウントレーザーバー
概要
特徴:
最高の信頼性と寿命を実現する独自のテクノロジー
電力: 100W CW
TE 偏波オプション
高効率
幅広いバー構成(エミッター幅、フィルファクター、キャビティ長)
応用:
半導体レーザーモジュール
材料加工
皮膚科と外科。
自由空間光通信

仕様:
商品番号:LC808SB100
商品名: 100W 808nm シングルバーレーザーチップ CW
| 光学 | タイプ |
| 中心波長 | 808nm |
| 出力電力 | 100W |
| 作業モード | CW |
| スペクトル幅 | 4nm |
| エミッター数 | 47 |
| エミッタ幅 | 100μm |
| エミッタピッチ | 200μm |
| 充填率 | 50% |
| バーの幅 | 10000μm |
| キャビティ長さ | 1500μm |
| 厚さ | 125μm |
| ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) | 39度 |
| 遅軸発散 (FWHM) | 10度 |
| 斜面効率 | 1.15W/A |
| 電気 | |
| 動作電流 Iop | 105A |
| 閾値電流 Ith | 18A |
| 動作電圧Vop | 1.8V |
| 変換効率 | 55% |
| 熱 | |
| 動作温度 | 15~35度 |
| 波長温度係数 | 0.28nm/度 |
PIVチャート
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