100W 808nm CW アンマウントレーザーバー

100W 808nm CW アンマウントレーザーバー

商品番号:LC808SB100
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説明

 

100W 808nm CW アンマウントレーザーバー

概要

 

特徴:

最高の信頼性と寿命を実現する独自のテクノロジー

電力: 100W CW

TE 偏波オプション

高効率

幅広いバー構成(エミッター幅、フィルファクター、キャビティ長)

応用:

半導体レーザーモジュール

材料加工

皮膚科と外科。

自由空間光通信

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

仕様:

商品番号:LC808SB100

商品名: 100W 808nm シングルバーレーザーチップ CW

光学 タイプ
中心波長 808nm
出力電力 100W
作業モード CW
スペクトル幅 4nm
エミッター数 47
エミッタ幅 100μm
エミッタピッチ 200μm
充填率 50%
バーの幅 10000μm
キャビティ長さ 1500μm
厚さ 125μm
ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) 39度
遅軸発散 (FWHM) 10度
斜面効率 1.15W/A
電気  
動作電流 Iop 105A
閾値電流 Ith 18A
動作電圧Vop 1.8V
変換効率 55%
 
動作温度 15~35度
波長温度係数 0.28nm/度

 

PIVチャート

 

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