150W 808nm アンマウントレーザーバー

150W 808nm アンマウントレーザーバー

商品番号:LC808SB150Q
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説明

 

150W 808nm アンマウントレーザーバー


概要

 

特徴:

• 最高の信頼性と寿命を実現する独自の AAA エピタキシャル技術

• 75% のフィルファクターを提供し、808 nm の波長で最大 150 W の QCW レーザー出力を生成します。

• エミッターの数 30。エミッター幅 120um ;エミッタピッチ 160um

• 高効率、現場アプリケーションにおける高信頼性の標準を確立

• 低いビーム発散と小さな発光開口部

応用:

・半導体レーザーモジュール

• 材料加工

• 皮膚科と外科。

・自由空間光通信

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

仕様:

商品番号:LC808SB150Q

商品名: 150W 808nm シングルバーレーザーチップ QCW

光学 タイプ
中心波長 808nm
出力電力 150W
スペクトル幅 4nm
バーの幅 4800-5200μm
キャビティ長さ 1490-1510μm
厚さ 105-145μm
ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) 39度
遅軸発散 (FWHM) 10度
偏光モード TE
斜面効率 1.2W/A
電気  
動作電流 Iop 145A
閾値電流 Ith 25A
動作電圧Vop 1.9V
変換効率 50%
熱  
動作温度 15~35度
波長温度係数 0.28nm/度

PIVチャート

 

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