説明
150W 808nm アンマウントレーザーバー
概要
特徴:
• 最高の信頼性と寿命を実現する独自の AAA エピタキシャル技術
• 75% のフィルファクターを提供し、808 nm の波長で最大 150 W の QCW レーザー出力を生成します。
• エミッターの数 30。エミッター幅 120um ;エミッタピッチ 160um
• 高効率、現場アプリケーションにおける高信頼性の標準を確立
• 低いビーム発散と小さな発光開口部
応用:
・半導体レーザーモジュール
• 材料加工
• 皮膚科と外科。
・自由空間光通信

仕様:
商品番号:LC808SB150Q
商品名: 150W 808nm シングルバーレーザーチップ QCW
| 光学 | タイプ |
| 中心波長 | 808nm |
| 出力電力 | 150W |
| スペクトル幅 | 4nm |
| バーの幅 | 4800-5200μm |
| キャビティ長さ | 1490-1510μm |
| 厚さ | 105-145μm |
| ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) | 39度 |
| 遅軸発散 (FWHM) | 10度 |
| 偏光モード | TE |
| 斜面効率 | 1.2W/A |
| 電気 | |
| 動作電流 Iop | 145A |
| 閾値電流 Ith | 25A |
| 動作電圧Vop | 1.9V |
| 変換効率 | 50% |
| 熱 | |
| 動作温度 | 15~35度 |
| 波長温度係数 | 0.28nm/度 |
PIVチャート
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