20W 976nm アンマウントレーザーバー

20W 976nm アンマウントレーザーバー

CW 20W 976nm ベアバーダイオードレーザーチップ
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説明

 

20W 976nm アンマウントレーザーバー

当社の 20W 976nm アンマウント レーザー バーは、幅広い産業、科学、研究用途向けに設計された高出力、高性能の半導体レーザーです。- 976nm の波長で 20W の出力を備えたこのマウントされていないレーザー バーは、優れた効率とビーム品質を提供します。アンマウント設計により統合の柔軟性が向上し、カスタム レーザー システム、レーザー ポンピング、材料処理などに適しています。

 

概要

 

特徴:

アンマウントチップ設計 低MOQ

高い安定性 長寿命

高信頼性 高品質

AuSnボンディング RoHS準拠

動作モード CW

COSパッケージが利用可能

応用:

固体レーザー励起源-

ファイバーレーザー励起光源

レーザー照明

自由空間光通信

Laser chip bar

注: このデバイスはオープン ヒートシンク ダイオード レーザーです。-クリーンルーム雰囲気または防塵ハウジング内でのみ操作できます。-レーザー面での水の結露を避けるために、動作温度と相対湿度を制御する必要があります。レーザー端面の汚染や接触は避けてください。

 

データシート:

商品番号:LC976SE20

光学  
中心波長 976nm
出力電力 20W
スペクトル幅半値幅 5nm以下
エミッタ幅 95um
キャビティ幅 390um-410um
キャビティの厚さ 95um~120um
キャビティ長さ 3990um~4010um
斜面効率 0.95W/A以上
速軸の発散 29度
遅軸発散 9度
偏光モード TE
電気  
閾値電流 0.7-1.0A
動作電流 10.8-12A
動作電圧 1.75-1.95V
 
動作温度 25度
波長温度係数 0.3nm/度

 

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