説明
100W 808nm ダイオードレーザーチップ
概要
特徴:
• 最高の信頼性と寿命を実現する独自の AAA エピタキシャル技術
• 高効率
• 幅100μmのエミッタから最大100W
梱包原則:
溶接技術: レーザーチップをパッケージ構造に接続するプロセス。一般的に使用される溶接技術には、はんだ、はんだペーストなどが含まれます。溶接の際には、溶接品質を確保し、レーザーチップの損傷を防ぐために、温度と溶接時間を正確に調整する必要があります。

仕様:
商品番号:LC808SB100
| 光学 | タイプ |
| 中心波長 | 808nm |
| 出力電力 | 100W |
| 作業モード | CW |
| スペクトル幅 | 4nm |
| エミッター数 | 47 |
| エミッタ幅 | 100μm |
| エミッタピッチ | 200μm |
| 充填率 | 50% |
| バーの幅 | 10000μm |
| キャビティ長さ | 1500μm |
| 厚さ | 125μm |
| 電気 | |
| 動作電流 Iop | 105A |
| 閾値電流 Ith | 18A |
| 動作電圧Vop | 1.8V |
| 変換効率 | 55% |
| 熱 | |
| 動作温度 | 15~35度 |
| 波長温度係数 | 0.28nm/度 |
PIVチャート
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