100W 808nm ダイオードレーザーチップ

100W 808nm ダイオードレーザーチップ

商品番号:LC808SB100
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説明

 

100W 808nm ダイオードレーザーチップ

概要

 

特徴:

• 最高の信頼性と寿命を実現する独自の AAA エピタキシャル技術

• 高効率

• 幅100μmのエミッタから最大100W

梱包原則:

溶接技術: レーザーチップをパッケージ構造に接続するプロセス。一般的に使用される溶接技術には、はんだ、はんだペーストなどが含まれます。溶接の際には、溶接品質を確保し、レーザーチップの損傷を防ぐために、温度と溶接時間を正確に調整する必要があります。

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

 

仕様:

商品番号:LC808SB100

光学 タイプ
中心波長 808nm
出力電力 100W
作業モード CW
スペクトル幅 4nm
エミッター数 47
エミッタ幅 100μm
エミッタピッチ 200μm
充填率 50%
バーの幅 10000μm
キャビティ長さ 1500μm
厚さ 125μm
電気  
動作電流 Iop 105A
閾値電流 Ith 18A
動作電圧Vop 1.8V
変換効率 55%
 
動作温度 15~35度
波長温度係数 0.28nm/度

 

PIVチャート

 

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よくある質問:

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4.納期は1〜2週間で、注文数量とリクエストによって異なります。

5.配達後、DHL UPS FedEx TNT追跡番号をお送りします。

 

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