830nm 2W ダイオードレーザーチップ

830nm 2W ダイオードレーザーチップ

商品番号:LC830SE2
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説明

830nm 2W ダイオードレーザーチップ

3W 1064nm Bare Laser Chip

製品説明

 

830nm 2W ダイオード レーザー チップは、シングル エミッター レーザー チップです。いわゆるシングルエミッターは、私たちがよく「レーザーチップ」と呼ぶものです。その製造プロセスは半導体チップと同じで、シリコンウェハの製造、ICの設計、ICの製造、ICの封止、検査といった一連の工程を経ます。最終的なチップはシングル ダイオード レーザーと呼ばれます。

 

単一のレーザーエミッターには発光点が 1 つしかないため、ファイバー結合が容易です。したがって、熱効果の相互影響を効果的に低減でき、修理、保守、交換が容易なファイバーレーザー(主に中出力および低出力)のポンプ光源として一般的に使用されます。また、高電圧・低電流の駆動電源のため、構造が簡単で低コストです。

 

 

 

 

データシート:

商品番号:LC830SE2

光学  
中心波長 830nm
出力電力 2W
作業モード CW
スペクトル幅 2nm
エミッタ幅 47um
エミッタピッチ 400um
キャビティ長さ 2000um
厚さ 130um
ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) 35度
遅軸発散 (FWHM) 9度
偏光モード TE
斜面効率 1.2W/A
電気  
動作電流 Iop 2A
閾値電流 Ith 0.25A
動作電圧Vop 1.8V
変換効率 58%
 
動作温度 15-35度
波長温度係数 0.28nm/度

 

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