シングルバー 755nm 100W レーザーチップ

シングルバー 755nm 100W レーザーチップ

商品番号:LC755SB100
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説明
Brandnew Technology は、中国有数のダイオード レーザー製造業者およびサプライヤーの 1 つであり、高品質のシングル バー 755nm 100w レーザー チップを製造し、競争力のある価格で販売する専門工場を所有しています。中国製の当社の製品を卸売りでご提供いたします。

 

製品の説明

 

 

100W 755nm CW ベアシングルバーレーザーチップ
 

特徴:

  • 最高品質: 当社は、明確に定義されたプロセスでレーザー チップの生産を厳密に監視しています。
  • 強力: 高い信頼性の高い出力と理想的なビーム特性。
  • 経済的: 当社のレーザー チップは非常に効率的で、長寿命が特徴です。

用途:

  • 産業: 直接材料処理、加熱、照明用の高出力ダイオード レーザー用半導体。ファイバー レーザーおよび固体レーザーのポンピング ソースとしての半導体。印刷技術での使用。
  • 医学:美容、皮膚科、外科。
100W 940nm Multi Emitter Laser Chip
  • 未テストのベアチップも提供可能です。在庫状況についてはお問い合わせください。
  • Brandnew のレーザー チップは、さまざまなサブマウントに取り付けることができます。
  • 高出力半導体レーザーチップの中国の専門サプライヤー。真新しいレーザーチップは、顧客の最高品質基準を満たすことができます。
  • ホットタグ: 非接合レーザーチップ 100W 755nm サプライヤー、メーカー中国、工場、卸売、中国製、

商品番号: LC755SB100

光学 タイプ
中心波長 755nmの
出力電力 100W
作業モード 翻訳
発信機の数 47
エミッタ幅 110μm
エミッタピッチ 200μm
充填係数 50%
バーの幅 10ミリメートル
キャビティ長さ 1.5ミリメートル
厚さ 115μm
スペクトル帯域幅(FWHM) 4.5nmの
電気
動作電流 Iop 100A
閾値電流 Lth 20A
動作電圧Vop 2.0V
変換効率 75%
サーマル
動作温度 0~55度
波長温度係数 0.35nm/度

 

描画

 

 

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