100W 780nm レーザーダイオードベアバー

100W 780nm レーザーダイオードベアバー

商品番号:LC780SB100
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説明

 

100W 780nm レーザーダイオードベアバー

   

製品説明
 

半導体レーザーは、今日の産業用レーザーのほとんどの 1 つです。直接材料処理であっても、固体レーザー、ファイバーレーザー、またはディスクレーザーの光ポンピングであっても、取り付けられていないシングルエミッターとバーは、電気エネルギーを光に最初に変換するための重要なコンポーネントです。

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 

概要

 

特徴:

最高の品質: 当社は、明確に定義されたプロセスでの半導体製品の製造を厳しく監視します。

強力: 高く信頼性の高い出力パワーと理想的なビーム特性。

経済的: 高効率と長寿命

アプリケーション:

808nm 半導体レーザーは、固体レーザーの主な励起光源として、インテリジェント製造、工業処理、医療健康、科学研究、国家戦略的ハイテクノロジーの分野で重要な役割を果たしています。市場の需要が高まるにつれ、高出力かつ高効率のレーザーチップが業界の発展を支える重要な役割を果たしています。

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仕様:

商品番号:LC780SB100

光学

タイプ

中心波長

785nm

出力電力

100W

作業モード

CW

スペクトル幅

4nm

エミッター数

47

エミッタ幅

100μm

エミッタピッチ

200μm

バーの長さ

10000μm

キャビティ長さ

1500μm

厚さ

130μm

ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) 35度
遅軸ダイバージェンス(FWHM) 9度
偏光モード TE
斜面効率 1.2W/A

電気

 

動作電流 Iop

100A

閾値電流 Ith

20A

動作電圧Vop

1.8V

変換効率

60%

 

動作温度

15-35度

波長温度係数

0.28nm/度

 

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