25W 915nm レーザーダイオードベアバー

25W 915nm レーザーダイオードベアバー

商品番号:LC915SE25
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説明

 

25W 915nm レーザーダイオードベアバー

製品説明

レーザーチップは最も厳しい品質管理の下で製造されています。当社は最先端のエピタキシー、加工、ファセット コーティング技術のみを使用しています。---レーザーチップの組み立てには標準的なはんだ付け方法が使用されます。材質は軟半田(インジウム)と硬半田(金/錫)の両方に対応しています。レーザチップの標準構成は、p-側で分離されたエミッタ構造です。ご要望に応じて、外部共振器のアセンブリに低 AR コーティングを使用して、連続的な p 側メタライゼーションと適応したファセット コーティングを備えたレーザー チップを利用できます。-

特徴:

高い信頼性

高偏光

高輝度

長寿命

COSパッケージが利用可能

応用:

ファイバーレーザー励起光源

固体レーザー励起源-

直接半導体レーザー

その他

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 

 

仕様:

商品番号:LC915SE25

光学  
中心波長 915nm
出力電力 25W
作業モード CW
エミッタ幅 190μm
エミッタピッチ 400μm
キャビティ長さ 4000μm
厚さ 95-115μm
スペクトル帯域幅(FWHM) 4nm
斜面効率 1.1W/A
電気  
動作電流 Iop 25A
閾値電流 Ith 1.55A
動作電圧Vop 1.7V
変換効率 60%
 
動作温度 20度
波長温度係数 0.35nm/度

 

性能曲線とサイズ図

MB8[N%0LDVQNNDS)1BTG]00

 

よくある質問:

リードタイムはどれくらいですか?

通常3〜5日です。カスタマイズされた製品には 15 営業日かかります。

 

OEM(顧客向けにレーザーを設計・製造すること)はできますか?

はい、当社にはソフトウェア、ハードウェア、エレクトロニクス、デザイナーの3D部門を含む専門の研究開発チームがあり、顧客の要件に完全に従ってレーザーを製造するのに十分な能力があります。

 

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