880nm 300W レーザー ダイオード シングル エミッター CW レーザー ベア チップ

880nm 300W レーザー ダイオード シングル エミッター CW レーザー ベア チップ

商品番号:LC880SB300
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説明

 

880nm 300W レーザー ダイオード シングル エミッター CW レーザー ベア チップ

 

特徴:

  • ハイパワー 300W、波長 880nm
  • QCW動作モード、エミッタ数60
  • TE 偏波モード、1.2W/A スロープ効率
  • 高輝度、高い信頼性と安定性
  • 任意のミルコチャネル冷却構成で利用可能

アプリケーション:

  • IR照明
  • レーザーポンピングコンポーネント
  • 手術の申し込み
  • 材料加工用半導体
Light Emitter Diode Laser Chip

 

 

データシート

商品番号:LC880SB300

商品名: 発光ダイオードレーザーチップ

光学
中心波長 880nm
出力電力 300W
作業モード QCW
スペクトル幅 4nm
エミッター数 60
エミッタ幅 120um
エミッタピッチ 160um
充填率 75%
バーの幅 10000um
キャビティ長さ 1500um
厚さ 130um
ファストアクシスダイバージェンス(FWHM) 39度
遅軸ダイバージェンス(FWHM) 12度
偏光モード TE
斜面効率 1.2W/A
電気
動作電流 Iop 280A
閾値電流 Ith 30A
動作電圧Vop 1.9V
変換効率 55%
熱
動作温度 25度
波長温度係数 0.3nm/度

 

描画:

300W 880 LC drawing

これらの特性により、半導体レーザーは技術的な観点から最も重要な種類のレーザーとなっています。それらの用途は非常に広範囲にわたり、光通信、光データストレージ、計測学、分光法、材料加工、他のレーザーの励起、および医療が含まれます。ベアチップでは大量のレーザーを製造できるため、多くの装置ベンダーが大量に購入して独自の装置を製造しています。私たちの製品があなたに大きな利益をもたらすことを願っています。

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