1W 1064nm シングルエミッターレーザーチップ

1W 1064nm シングルエミッターレーザーチップ

商品番号:LC1064SE1
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説明
Brandnew Technologyは、中国の主要なダイオードレーザーメーカーおよびサプライヤーの1つであり、高品質の1w 1064nmシングルエミッターレーザーチップを製造し、競争力のある価格で販売する専門工場を持っています。 中国製の製品の卸売へようこそ。

 

1W 1064nm シングルエミッターレーザーチップ

 

1W 1064nmシングルエミッターレーザーチップは、新しいエピタキシャル構造設計と材料エピタキシー、高度な非ポンプウィンドウ設計と準備技術、セルフアライメント技術と組み合わせた乾式および湿式腐食を使用し、ストリップ幅の一貫性を制御し、特に質量の下で高い歩留まりを確保します生産、レーザー チップのコストを削減します。

特徴:

スペクトル幅6nm、エミッタ幅190um

0.5W/A スロープ効率、58% の変換効率

最適化されたエピタキシャル構造設計

最高の信頼性と寿命を実現する独自の技術

応用:

ファイバーレーザー励起光源

固体レーザー励起光源

直接半導体レーザー

Single Emitter Laser Chip

 

データシート:

商品番号:LC1064SE1

 

オプティカル タイプ
中心波長 1064nm
出力電力 1W
スペクトル幅 6nm
エミッタ幅 190um
チップ幅 500um
キャビティの長さ 4000um
厚さ 150um
電気
動作電流 Iop 13A
しきい電流 Ith 0.8A
動作電圧 Vop 2V
熱の
試験温度 25度
波長温度係数 0.35nm/度

 

スペクトル曲線

SpectrumCurve

 

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