3W 808nmCWシングルエミッターレーザーチップ

3W 808nmCWシングルエミッターレーザーチップ

商品番号:LC808SE3
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説明

 

自由空間光通信用の3W808nmCWシングルエミッタレーザーチップ

シングルエミッターレーザーダイオード(SE)チップは、高出力で高輝度の半導体レーザーモジュールの基本的な構成要素です。 当社の製品は、標準的なはんだ付け方法を使用して簡単に組み立てられます。

ご要望に応じて、外部共振器の組み立てに低ARコーティングを使用して、連続的なp側メタライゼーションと適合ファセットコーティングを備えたバーを製造することもできます。

特徴:

効率的な包装熱放散技術

低電圧、高効率、長寿命

高い信頼性と高いコストパフォーマンス

高温耐性特性

優れたはんだ付け性

応用:

自動運転ライダー

ファイバーレーザーシード

皮膚科および外科。

材料加工

3W 808nm CW Single Emitter Laser Chip

データシート

アイテム番号:LC808SE3

アイテム名:3W 808nmCWシングルエミッターレーザーチップ

オプティカル

タイプ

中心波長

808nm

出力電力

3W

作業モード

CW

スペクトル幅

2nm

エミッター幅

100μm

エミッターピッチ

500μm

キャビティの長さ

2000μm

厚さ

130μm

高速軸の発散35度
高速軸の発散9Deg
偏光モードTE
斜面効率1.2W/A

電気


動作電流Iop

2.8A

しきい値電流Ith

0.4A

動作電圧Vop

1.75V

変換効率

60%

熱の


作動温度

15-35℃

波長温度係数

0.28nm /℃


描く:

3w 808 LC LIV

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