説明
50W 905nm シングルエミッターレーザーチップ
特徴：
- 50Wの出力電力
- パルス幅は100nsです
- 1000um キャビティ長、400um チップ幅
- 高い電力変換効率40%
アプリケーション:
- 医療・化粧品
- 材料加工
- 固体レーザーの励起-
- 科学研究
50W レーザー チップは未実装の高出力で、最大 50W (905 nm) の最大光出力パワーの不連続波 (QCW) モードで動作可能です。この製品は、高いパワー変換効率を備えています。大量生産向けに最適化されています。-
他の波長やパワーもカスタマイズ可能ですので、必要な場合はお気軽にお問い合わせください。
データシート
商品番号：LC905SE50
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光学 |
タイプ |
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中心波長 |
905nm |
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出力電力 |
50W |
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作業モード |
QCW |
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スペクトル幅 |
4nm |
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エミッタ幅 |
135μm |
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キャビティ長さ |
1000μm |
| チップ幅 | 400um |
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厚さ |
130μm |
| 速軸の発散 | 30度 |
| 遅軸発散 | 10度 |
| 偏光モード | TE |
| 斜面効率 | 3W/A |
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電気 |
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動作電流 Iop |
21A |
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閾値電流 Ith |
0.9A |
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動作電圧Vop |
6.3V |
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変換効率 |
40% |
| パルス幅 | 100ns |
| デューティサイクル | 0.01% |
| 繰り返し周波数 | 1000Hz |
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熱 |
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動作温度 |
25度 |
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波長温度係数 |
0.31nm/度 |
描画：
シングルエミッターダイオードレーザー:
一般的な方法の 1 つは、ストリップ、ストリップ スタック、またはモノリシック レーザー ダイオード アレイと呼ばれる大面積チップに沿って複数のエミッタをグループ化することであり、単一ストリップ上のダイオード エミッタの数は約 10 ～ 100 の範囲になります。
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