説明
75W 905NMパルスシングルエミッターレーザーチップ
製品説明
75W 905NMパルスシングルエミッターレーザーチップはEEL側のエミッティングチップに属し、単一、トリプル、四重層エミッティングノードをサポートします.光電気変換効率は41%.高軸角度30角度30°IS {7} {7} {7}の速度30角度{このシリーズのチップは、25度から125度の間のテスト重量が10度増加するごとに4%の電力を削減し、厳しいCE認証テスト.に合格しているため、優れた高温抵抗があります。
大規模な商業用Lidarはすぐ近くにあります.レーザーチップのローカリゼーションは、顧客がコストを削減し、コストパフォーマンスを改善し、将来の短い配信時間と高速サービス対応の利点を持つこともできます。

データシート
アイテム番号:LC905SE75
アイテム名:75W 905NMパルスシングルエミッターレーザーチップ
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光学 |
タイプ |
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中央波長 |
905nm |
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出力電力 |
75W |
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作業モード |
QCW |
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スペクトル幅 |
4nm |
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エミッタ幅 |
200μm |
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キャビティの長さ |
750μm |
| チップ幅 | 400um |
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厚さ |
150μm |
| 速い軸の発散 | 30DEG |
| 遅い軸の発散 | 20DEG |
| 偏光モード | te |
| 勾配効率 | 3W/A |
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電気 |
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現在のIOPの操作 |
31A |
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しきい値現在のith |
1.3A |
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動作電圧VOP |
6.3V |
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変換効率 |
40% |
| パルス幅 | 100ns |
| デューティサイクル | 0.01% |
| 繰り返し頻度 | 1000Hz |
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サーマル |
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動作温度 |
25度 |
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波長温度係数 |
0.31nm/度 |
描画:

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