説明
9mW 940nmVCSELレーザーチップ
主な機能
大量の3Dセンシングアプリケーション（ToF、構造化光、アクティブステレオ、フラッドイルミネーター）向けに設計されています
縦方向シングルモード、横方向マルチモード
スケーラブルな光出力パワー（0.5-4W）
ドーナツ型の対称遠方界
表面実装可能
非密閉操作
高信頼性
特徴
| パラメータ | 代表 |
| 中心波長 | 940±10nm |
| 出力電力 | 4W |
| スペクトル幅 | 3nm |
| 斜面効率 | 0.95W/A |
| しきい値電流 | 1200A |
| 波長温度 係数 | 0.07nm /℃ |
| 動作電圧 | 2.3V |
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